中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究

文献类型:期刊论文

作者林成鲁 ; 邢昆山 ; 陈莉芝 ; 许学敏 ; 谭松生 ; 邹世昌
刊名中国激光
出版日期1990
期号07
关键词K1 激光再结晶 SOM材料 压力传感器
ISSN号0258-7025
其他题名T1 金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究
中文摘要以CW Ar~+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40μm~2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106295]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
林成鲁,邢昆山,陈莉芝,等. 金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究[J]. 中国激光,1990(07).
APA 林成鲁,邢昆山,陈莉芝,许学敏,谭松生,&邹世昌.(1990).金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究.中国激光(07).
MLA 林成鲁,et al."金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究".中国激光 .07(1990).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。