聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 骆如枋 ; 陆德仁 ; 陆玉萍 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 02558297 |
| 中文摘要 | 一种聚酰亚胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功．这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽＞８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ＿２＋Ｓｉ＿３Ｎ＿４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上．本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计、工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论． |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106347]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 骆如枋,陆德仁,陆玉萍. 聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制[J]. 应用科学学报,1996(01). |
| APA | 骆如枋,陆德仁,&陆玉萍.(1996).聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制.应用科学学报(01). |
| MLA | 骆如枋,et al."聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制".应用科学学报 .01(1996). |
入库方式： OAI收割
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