绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冷静民 ; 钱佑华 ; 林成鲁 ; 方芳 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 08 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响,发现低导热的绝缘层使产生固-液相变的临界激光功率有明显的降低。用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力。应力的出现是多晶膜内曾经发生过固-液相变的佐证。从这一思想出发,对LPCVD方法制备的大量SOI样品进行激光再结晶临界条件的研究,证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果,而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106352]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冷静民,钱佑华,林成鲁,等. 绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件[J]. 物理学报,1987(08). |
| APA | 冷静民,钱佑华,林成鲁,&方芳.(1987).绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件.物理学报(08). |
| MLA | 冷静民,et al."绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件".物理学报 .08(1987). |
入库方式： OAI收割
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