抗电子发射钼栅极的性能分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 官冲 ; 张济忠 ; 廖显恒 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 钼栅极 逸出功 电子发射 金属间化合物 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | T1 抗电子发射钼栅极的性能分析 |
| 中文摘要 | 利用真空离子沉积技术在钼栅极的表面分别镀上一层Ｃ膜、Ａｌ膜和ＡｌＴｉＺｒ合金膜，对镀膜后的样品进行寿命试验。用ＳＥＭ和ＸＲＤ分析技术对镀膜样品受阴极活性蒸发物Ｂａ污染前、污染后进行了对比研究。实验结果表明：逸出功较低的Ａｌ在受到Ｂａ污染后，能够生成金属间化合物，从而能够有效地抑制栅极发射；而沉积的Ｃ膜在受到污染后，逐渐被消耗而失去作用；在Ａｌ中加入逸出功较高的ＴｉＺｒ合金后，破坏了金属间化合物的生成，并不能抑制栅极发射。实验说明逸出功低的Ａｌ也可涂覆到栅极上，在栅极工作过程中，当Ａｌ与阴极的蒸发物生成金属 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106357]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 官冲,张济忠,廖显恒. 抗电子发射钼栅极的性能分析[J]. 功能材料,1999(03). |
| APA | 官冲,张济忠,&廖显恒.(1999).抗电子发射钼栅极的性能分析.功能材料(03). |
| MLA | 官冲,et al."抗电子发射钼栅极的性能分析".功能材料 .03(1999). |
入库方式： OAI收割
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