快速发光二极管的性能与分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 逄永秀 ; 沈彭年 ; 吴冠群 ; 史智华 ; 泮慧珍 |
| 刊名 | 发光与显示
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 本文叙述了用于光通信快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光管的性能。其电带宽大于60MHz,光带宽在100MHz以上。在200mA辐射度为1017W/cm~2·sr。尾纤输出超过160μw(NA=0.2)。分析和讨论了影响辐射输出和调制能力的诸因素,并选取了最佳折衷方案。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106377]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 逄永秀,沈彭年,吴冠群,等. 快速发光二极管的性能与分析[J]. 发光与显示,1981(04). |
| APA | 逄永秀,沈彭年,吴冠群,史智华,&泮慧珍.(1981).快速发光二极管的性能与分析.发光与显示(04). |
| MLA | 逄永秀,et al."快速发光二极管的性能与分析".发光与显示 .04(1981). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。