兰宝石上外延硅工艺及其应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈庆贵 ; 史日华 ; 姚友龙 ; 邬华 ; 董荣康 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 本文着重于SOS材料制备及提高其性能的工艺.并用它研制成硅-兰宝石半导体压力传感器及LC4023和LC4027辐射加固的CMOS/SOS集成电路.其主要性能为国内领先,达到八十年代的国际同类产品的水平,并已用于工业部门. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106385]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈庆贵,史日华,姚友龙,等. 兰宝石上外延硅工艺及其应用[J]. 半导体技术,1988(03). |
| APA | 陈庆贵,史日华,姚友龙,邬华,&董荣康.(1988).兰宝石上外延硅工艺及其应用.半导体技术(03). |
| MLA | 陈庆贵,et al."兰宝石上外延硅工艺及其应用".半导体技术 .03(1988). |
入库方式： OAI收割
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