离子束合成SIMOX技术的进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 周祖尧 ; 竺士炀 ; 林梓鑫 ; 倪如山 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 10043365 |
| 中文摘要 | 综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０１１～１０１６／ｃｍ２）离子注入到高剂量（１０１７～１０１８／ｃｍ２）离子注入合成新材料的离子束合成技术。讨论了高剂量注入的物理效应，介绍了利用高剂量氧注入硅合成ＳＩＭＯＸ材料的物理过程以及ＳＩＭＯＸ技术的多种应用。提出了提高ＳＩＭＯＸ材料性能的各种途径。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106401]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,周祖尧,竺士炀,等. 离子束合成SIMOX技术的进展[J]. 微电子学,1996(03). |
| APA | 林成鲁,周祖尧,竺士炀,林梓鑫,&倪如山.(1996).离子束合成SIMOX技术的进展.微电子学(03). |
| MLA | 林成鲁,et al."离子束合成SIMOX技术的进展".微电子学 .03(1996). |
入库方式： OAI收割
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