离子束合成SOI多层结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 张顺开 ; 朱文化 ; 邹世昌 ; 李金华 ; P.L.F.Hemment |
| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 中文摘要 | 本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进行表征。比较了注O~+和注N~+两种SOI材料的优缺点。研究表明,高质量的SOI材料能够通过离子束合成技术获得。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106402]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,张顺开,朱文化,等. 离子束合成SOI多层结构的研究[J]. 微细加工技术,1991(03). |
| APA | 林成鲁,张顺开,朱文化,邹世昌,李金华,&P.L.F.Hemment.(1991).离子束合成SOI多层结构的研究.微细加工技术(03). |
| MLA | 林成鲁,et al."离子束合成SOI多层结构的研究".微细加工技术 .03(1991). |
入库方式： OAI收割
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