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离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜

文献类型:期刊论文

作者陈国樑 ; 任琮欣 ; 陈建民 ; 杨絜 ; 李贻杰 ; 陈正秀 ; 汪乐 ; 谢雷鸣 ; 邹世昌
刊名低温物理学报
出版日期1991
期号01
ISSN号1000-3258
中文摘要本文报道应用离子束溅射沉积制备高 T_c 高 J_c YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.较详细地考察了影响薄膜组份比和晶粒取向的主要因素.实验表明采用本文提出的组合溅射靶可方便而又精确地调节薄膜 Y、Ba、Cu 组份比.详细描述了获得高度取向薄膜的工艺条件,获得了零电阻温度 T_(c0)=88~90.5K 和临界电流密度 J_c=1.5×10~3A/cm~2(77K)的 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106405]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈国樑,任琮欣,陈建民,等. 离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜[J]. 低温物理学报,1991(01).
APA 陈国樑.,任琮欣.,陈建民.,杨絜.,李贻杰.,...&邹世昌.(1991).离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.低温物理学报(01).
MLA 陈国樑,et al."离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜".低温物理学报 .01(1991).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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