离子束溅射淀积速率的计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄壮锐 ; 姜祥祺 ; 陈国梁 |
| 刊名 | 真空科学与技术
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| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | <正> 一、引言离子束溅射技术已广泛应用于表面刻蚀和制备薄膜。由于离子束电流强度和加速电压能够独立地调节,并且衬底与离子源之间有较大的距离,因而离子能量、电流密度、衬底温度和离子束入射角都能分别控制。离子束溅射还能在比通常的射频、磁控溅射镀膜为高的真空 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106406]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄壮锐,姜祥祺,陈国梁. 离子束溅射淀积速率的计算[J]. 真空科学与技术,1990(01). |
| APA | 黄壮锐,姜祥祺,&陈国梁.(1990).离子束溅射淀积速率的计算.真空科学与技术(01). |
| MLA | 黄壮锐,et al."离子束溅射淀积速率的计算".真空科学与技术 .01(1990). |
入库方式： OAI收割
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