离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌——凹沟现象的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张建民 ; 傅新定 |
| 刊名 | 表面技术
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1001-3660 |
| 中文摘要 | 本文用能量为600eV、束流密度为0.5mA·cm~(-2)垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅上不同宽度的沟槽(15μm、10μm、5μm)进行了不同时间的离子束蚀刻,发现在槽底靠近槽壁处出现了凹沟现象,建立了入射离子在斜壁上反射的理论模型,并通过计算机模拟和实验结果进行了比较。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106414]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张建民,傅新定. 离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌——凹沟现象的研究[J]. 表面技术,1989(05). |
| APA | 张建民,&傅新定.(1989).离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌——凹沟现象的研究.表面技术(05). |
| MLA | 张建民,et al."离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌——凹沟现象的研究".表面技术 .05(1989). |
入库方式： OAI收割
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