离子束增强沉积AlN薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 门传玲 ; 徐政 ; 郑志宏 ; 多新中 ; 张苗 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 压电与声光
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | K1 离子束增强沉积 AlN SOI |
| ISSN号 | 1004-2474 |
| 其他题名 | T1 离子束增强沉积AlN薄膜的研究 |
| 中文摘要 | 利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得的薄膜 N/Al分别为 0 .40 2∶ 1和 0 .2 5 0∶ 1。SRP测试结果表明 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,表面电阻下降 ,并且在 0 .0 5 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密 ,表面电阻高于 10 8Ω |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106415]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 门传玲,徐政,郑志宏,等. 离子束增强沉积AlN薄膜的研究[J]. 压电与声光,2001(05). |
| APA | 门传玲,徐政,郑志宏,多新中,张苗,&林成鲁.(2001).离子束增强沉积AlN薄膜的研究.压电与声光(05). |
| MLA | 门传玲,et al."离子束增强沉积AlN薄膜的研究".压电与声光 .05(2001). |
入库方式： OAI收割
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