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离子注入碲镉汞迁移率谱的研究

文献类型:期刊论文

作者李向阳 ; 赵军 ; 陆慧庆 ; 方家熊
刊名红外与激光工程
出版日期2000
期号02
关键词K1 迁移率谱 碲镉汞 离子注入
ISSN号1007-2276
其他题名T1 离子注入碲镉汞迁移率谱的研究
中文摘要文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。对于离子注入后的样品 ,迁移率谱给出明显的两个电导率峰 ,通过分析说明样品经过离子注入产生了高浓度和低迁移率的表面层。变温测试表明 :表面低迁移率成分基本不随温度变化 ,体内高迁移率成分随温度变化明显。迁移率谱是离子注入样品的有效的非破坏分析方法之一。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106439]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
李向阳,赵军,陆慧庆,等. 离子注入碲镉汞迁移率谱的研究[J]. 红外与激光工程,2000(02).
APA 李向阳,赵军,陆慧庆,&方家熊.(2000).离子注入碲镉汞迁移率谱的研究.红外与激光工程(02).
MLA 李向阳,et al."离子注入碲镉汞迁移率谱的研究".红外与激光工程 .02(2000).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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