离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王德宁 ; 胡维央 ; 水海龙 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 应用离子注入技术制作n~+-p-π-p~+拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿电压V_B,耗尽层宽度W和有效离化率比值k_(eff)等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106448]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王德宁,胡维央,水海龙. 离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型[J]. 应用科学学报,1984(03). |
| APA | 王德宁,胡维央,&水海龙.(1984).离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型.应用科学学报(03). |
| MLA | 王德宁,et al."离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型".应用科学学报 .03(1984). |
入库方式： OAI收割
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