离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施左宇 ; 林成鲁 ; 朱文化 ; U.Bussmann ; P.L.F.Hemment ; 邹世昌 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N~+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很好;低能注入能降低形成A1N层的临界剂量,且A1/A1N界面更陡。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106450]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施左宇,林成鲁,朱文化,等. 离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟[J]. 功能材料,1993(03). |
| APA | 施左宇,林成鲁,朱文化,U.Bussmann,P.L.F.Hemment,&邹世昌.(1993).离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟.功能材料(03). |
| MLA | 施左宇,et al."离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟".功能材料 .03(1993). |
入库方式： OAI收割
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