离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施左宇 ; 林成鲁 ; 朱文化 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序．实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设．多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度．低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而且可以降低注入剂量 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106451]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施左宇,林成鲁,朱文化,等. 离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟[J]. 半导体学报,1994(01). |
| APA | 施左宇,林成鲁,朱文化,&邹世昌.(1994).离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟.半导体学报(01). |
| MLA | 施左宇,et al."离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟".半导体学报 .01(1994). |
入库方式： OAI收割
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