离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 俞跃辉 ; 林成鲁 ; 张顺开 ; 方子韦 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 12 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 本文中研究了O~+(200keV,1.8×10~(18)/cm~2)和N~+(190keV,1.8×10~(18)/cm~2)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O~+的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋层的界面存在一个不饱和氧化硅状态,氧化硅埋层是由SiO_2相和这不饱和氧化硅态组成,而且氧化硅埋层和体硅界面不同于表层Si和氧化硅埋层界面;注N~+的SOI结构在经1200℃,2h退火后,其氮化硅 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106453]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞跃辉,林成鲁,张顺开,等. 离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究[J]. 物理学报,1989(12). |
| APA | 俞跃辉,林成鲁,张顺开,方子韦,&邹世昌.(1989).离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究.物理学报(12). |
| MLA | 俞跃辉,et al."离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究".物理学报 .12(1989). |
入库方式： OAI收割
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