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离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

文献类型:期刊论文

作者俞跃辉 ; 林成鲁 ; 张顺开 ; 方子韦 ; 邹世昌
刊名物理学报
出版日期1989
期号12
ISSN号1000-3290
中文摘要本文中研究了O~+(200keV,1.8×10~(18)/cm~2)和N~+(190keV,1.8×10~(18)/cm~2)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O~+的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋层的界面存在一个不饱和氧化硅状态,氧化硅埋层是由SiO_2相和这不饱和氧化硅态组成,而且氧化硅埋层和体硅界面不同于表层Si和氧化硅埋层界面;注N~+的SOI结构在经1200℃,2h退火后,其氮化硅
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106453]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
俞跃辉,林成鲁,张顺开,等. 离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究[J]. 物理学报,1989(12).
APA 俞跃辉,林成鲁,张顺开,方子韦,&邹世昌.(1989).离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究.物理学报(12).
MLA 俞跃辉,et al."离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究".物理学报 .12(1989).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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