利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘彦松 ; 王连卫 ; 黄继颇 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 压电与声光
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1004-2474 |
| 中文摘要 | 采用脉冲激光淀积 (PL D)技术 ,利用 Zn O作为缓冲层 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出 Al N薄膜。X-射线衍射图谱表明 ,该 Al N薄膜具有 c轴取向特性。X-光电子能谱测试表明 ,要获得接近理想化学配比的 Al N薄膜 ,需要高真空淀积气氛或合适的 N2 气氛 ;同时还表明 ,Al N薄膜表面容易形成保护性氧化层。剖面透射电子显微镜显微照相显示该 Al N/ Zn O/ Si(10 0 )多层结构清晰可辨 ,层与层之间的界面非常平整。原子力显微镜分析表明 ,采用 Zn O缓冲层可改善 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106461]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘彦松,王连卫,黄继颇,等. 利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜[J]. 压电与声光,2000(05). |
| APA | 刘彦松,王连卫,黄继颇,&林成鲁.(2000).利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜.压电与声光(05). |
| MLA | 刘彦松,et al."利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜".压电与声光 .05(2000). |
入库方式： OAI收割
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