利用离子束技术及PECVD制备碳化硅
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈长清 ; 任琮欣 ; 杨立新 ; 严金龙 ; 郑志宏 ; 周祖尧 ; 陈平 ; 柳襄怀 ; 陈学良 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 09 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强化学气相沉积技术制备可光致发光的非晶态α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜的工作。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106462]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈长清,任琮欣,杨立新,等. 利用离子束技术及PECVD制备碳化硅[J]. 核技术,1998(09). |
| APA | 陈长清.,任琮欣.,杨立新.,严金龙.,郑志宏.,...&陈学良.(1998).利用离子束技术及PECVD制备碳化硅.核技术(09). |
| MLA | 陈长清,et al."利用离子束技术及PECVD制备碳化硅".核技术 .09(1998). |
入库方式： OAI收割
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