铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴雪梅 ; 叶春暖 ; 诸葛兰剑 ; 董业民 ; 汤乃云 ; 俞跃辉 ; 宁兆元 ; 姚伟国 |
| 刊名 | 科学通报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 16 |
| ISSN号 | 0023-074X |
| 中文摘要 | 采用双离子束共溅射技术, 通过对由Al, Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO). 其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅所占的表面积来调节. 在所有的样品中, 在可见光范围均观察到仅有一个位于510 nm的电致发光(EL)谱峰. 实验结果表明, 在一定的工艺条件下适量的掺铝可明显地改善EL的启动电压及发光强度. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106504]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴雪梅,叶春暖,诸葛兰剑,等. 铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响[J]. 科学通报,2001(16). |
| APA | 吴雪梅.,叶春暖.,诸葛兰剑.,董业民.,汤乃云.,...&姚伟国.(2001).铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响.科学通报(16). |
| MLA | 吴雪梅,et al."铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响".科学通报 .16(2001). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。