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铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响

文献类型:期刊论文

作者吴雪梅 ; 叶春暖 ; 诸葛兰剑 ; 董业民 ; 汤乃云 ; 俞跃辉 ; 宁兆元 ; 姚伟国
刊名科学通报
出版日期2001
期号16
ISSN号0023-074X
中文摘要采用双离子束共溅射技术, 通过对由Al, Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO). 其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅所占的表面积来调节. 在所有的样品中, 在可见光范围均观察到仅有一个位于510 nm的电致发光(EL)谱峰. 实验结果表明, 在一定的工艺条件下适量的掺铝可明显地改善EL的启动电压及发光强度.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106504]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴雪梅,叶春暖,诸葛兰剑,等. 铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响[J]. 科学通报,2001(16).
APA 吴雪梅.,叶春暖.,诸葛兰剑.,董业民.,汤乃云.,...&姚伟国.(2001).铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响.科学通报(16).
MLA 吴雪梅,et al."铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响".科学通报 .16(2001).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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