氯化物体系气相外延镓铟砷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐国华 ; 王加宽 ; 朱福英 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 本文报告用Ga/InAs/AsCl_3/H_2体系,在GaAs衬底上气相外延Ga_(1_x)In_xAs的结果。通过生长过渡层,降低晶格失配;用水平舟生长的InAs源,并适当选择生长参数,得到表面光洁、完整性较好的外延层。组份x值在0.25以内,最佳电性为: |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106532]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐国华,王加宽,朱福英. 氯化物体系气相外延镓铟砷[J]. 稀有金属,1982(04). |
| APA | 徐国华,王加宽,&朱福英.(1982).氯化物体系气相外延镓铟砷.稀有金属(04). |
| MLA | 徐国华,et al."氯化物体系气相外延镓铟砷".稀有金属 .04(1982). |
入库方式： OAI收割
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