脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉霞 ; 曹颖 ; 何海平 ; 汤洪高 ; 王连卫 ; 黄继颇 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 10 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106536]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉霞,曹颖,何海平,等. 脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光[J]. 半导体学报,2001(10). |
| APA | 王玉霞.,曹颖.,何海平.,汤洪高.,王连卫.,...&林成鲁.(2001).脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光.半导体学报(10). |
| MLA | 王玉霞,et al."脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光".半导体学报 .10(2001). |
入库方式： OAI收割
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