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脉冲激光沉积SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜电容特性研究

文献类型:期刊论文

作者杨平雄 ; 郑立荣 ; 倪如山 ; 林成鲁
刊名功能材料与器件学报
出版日期1997
期号02
ISSN号1007-4252
中文摘要用PLD方法成功地制备了SBT铁电薄膜,并制作成Pt/SBT/Pt薄膜电容器。SBT薄膜的晶面取向以(008)和(115)为主。在5V电压下,极化反转,并且得到较饱和的电滞回线,剩余极化强度和矫顽电场分别为84μC/cm2和57kv/cm。IV特性测试显示两个对称的双稳峰,并得到零电压下,面积为314×104μm2,厚度为035μm的电容器,电容约为560pF,介电常数约为600。疲劳测试表明Pt/SBT/Pt具有优良的抗疲劳特性。
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106539]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
杨平雄,郑立荣,倪如山,等. 脉冲激光沉积SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜电容特性研究[J]. 功能材料与器件学报,1997(02).
APA 杨平雄,郑立荣,倪如山,&林成鲁.(1997).脉冲激光沉积SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜电容特性研究.功能材料与器件学报(02).
MLA 杨平雄,et al."脉冲激光沉积SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜电容特性研究".功能材料与器件学报 .02(1997).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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