脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜
文献类型:期刊论文
作者 | 黄继颇 ; 王连卫 ; 祝向荣 ; 多新中 ; 林成鲁 |
刊名 | 压电与声光
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出版日期 | 1999 |
期号 | 05 |
关键词 | K1 氮化铝 脉冲激光沉积 压电性 |
ISSN号 | 1004-2474 |
其他题名 | T1 脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜 |
中文摘要 | c轴取向的AlN 具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用KrF脉冲准分子激光沉积工艺,在Si(100)衬底上成功地制备了c轴取向的AlN晶态薄膜。X射线衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在300 °C~800 °C衬底温度下,薄膜均只有(002)一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;原子力显微镜对800 °C沉积薄膜观察结果显示,薄膜具有高度一致的柱状结构,平均晶粒大小为250 nm 。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106541] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄继颇,王连卫,祝向荣,等. 脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜[J]. 压电与声光,1999(05). |
APA | 黄继颇,王连卫,祝向荣,多新中,&林成鲁.(1999).脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜.压电与声光(05). |
MLA | 黄继颇,et al."脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜".压电与声光 .05(1999). |
入库方式: OAI收割
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