中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜

文献类型:期刊论文

作者黄继颇 ; 王连卫 ; 祝向荣 ; 多新中 ; 林成鲁
刊名压电与声光
出版日期1999
期号05
关键词K1 氮化铝 脉冲激光沉积 压电性
ISSN号1004-2474
其他题名T1 脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜
中文摘要c轴取向的AlN 具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用KrF脉冲准分子激光沉积工艺,在Si(100)衬底上成功地制备了c轴取向的AlN晶态薄膜。X射线衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在300 °C~800 °C衬底温度下,薄膜均只有(002)一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;原子力显微镜对800 °C沉积薄膜观察结果显示,薄膜具有高度一致的柱状结构,平均晶粒大小为250 nm 。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106541]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
黄继颇,王连卫,祝向荣,等. 脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜[J]. 压电与声光,1999(05).
APA 黄继颇,王连卫,祝向荣,多新中,&林成鲁.(1999).脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜.压电与声光(05).
MLA 黄继颇,et al."脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜".压电与声光 .05(1999).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。