脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄继颇 ; 王连卫 ; 祝向荣 ; 多新中 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 压电与声光
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | K1 氮化铝 脉冲激光沉积 压电性 |
| ISSN号 | 1004-2474 |
| 其他题名 | T1 脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜 |
| 中文摘要 | ｃ轴取向的ＡｌＮ 具有优异的压电性和声表面波传输特性，已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射线衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明，在３００ °Ｃ～８００ °Ｃ衬底温度下，薄膜均只有（００２）一个衍射峰，但随着温度的升高，薄膜的结晶质量变好；原子力显微镜对８００ °Ｃ沉积薄膜观察结果显示，薄膜具有高度一致的柱状结构，平均晶粒大小为２５０ ｎｍ 。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106541]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄继颇,王连卫,祝向荣,等. 脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜[J]. 压电与声光,1999(05). |
| APA | 黄继颇,王连卫,祝向荣,多新中,&林成鲁.(1999).脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜.压电与声光(05). |
| MLA | 黄继颇,et al."脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜".压电与声光 .05(1999). |
入库方式： OAI收割
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