脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄继颇 ; 王连卫 ; 高剑侠 ; 林成鲁 ; 周艳萍 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | K1 氯化铝 脉冲激光沉积 介电性 |
| ISSN号 | 0258-7025 |
| 其他题名 | T1 脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究 |
| 中文摘要 | 采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺，在Si（111）衬底上成功地制备了AIN晶态薄膜。X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明：薄膜具有（101）取向，平均晶粒大小为200nm；薄膜介电性能优异，扩展电阻在108Ω以上。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106546]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄继颇,王连卫,高剑侠,等. 脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究[J]. 中国激光,1999(09). |
| APA | 黄继颇,王连卫,高剑侠,林成鲁,&周艳萍.(1999).脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究.中国激光(09). |
| MLA | 黄继颇,et al."脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究".中国激光 .09(1999). |
入库方式： OAI收割
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