慢正电子束研究N~+注入金属镍中生成的缺陷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩荣典 ; 翁惠民 ; 徐纪华 ; 郭学哲 ; 林成鲁 ; 俞耀辉 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 08 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 用慢正电子束配合多普勒湮没能谱测量技术研究N~+离子注入镍样品产生的缺陷。由未注入的样品得到了正电子在镍中的扩散参数E_0=4.6keV。比较两个样品的S参数随入射正电子能量变化的曲线给出了95keV、6.4×10~(17)/cm~2剂量的N~+注入镍样品所产生的缺陷分布;缺陷由表面一直延伸到190nm,浓度最大的区域在27—110nm。这些都与由Trim程序的Monte Carlo模拟计算的结果很好地符合。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106549]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩荣典,翁惠民,徐纪华,等. 慢正电子束研究N~+注入金属镍中生成的缺陷[J]. 核技术,1993(08). |
| APA | 韩荣典,翁惠民,徐纪华,郭学哲,林成鲁,&俞耀辉.(1993).慢正电子束研究N~+注入金属镍中生成的缺陷.核技术(08). |
| MLA | 韩荣典,et al."慢正电子束研究N~+注入金属镍中生成的缺陷".核技术 .08(1993). |
入库方式： OAI收割
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