慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩荣典 ; 周先意 ; 翁惠民 ; 朱警生 ; 南征 ; 虞旭东 ; 秦敢 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | CN 311342TL |
| 中文摘要 | 用慢正电子探针分别检测了Ｐ＋注入和Ｐ注入Ｓｉ（１００）的两组样品。与基底样品相比较，注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数，讨论了Ｐ＋和Ｐ注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106550]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩荣典,周先意,翁惠民,等. 慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为[J]. 核技术,1994(06). |
| APA | 韩荣典.,周先意.,翁惠民.,朱警生.,南征.,...&林成鲁.(1994).慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为.核技术(06). |
| MLA | 韩荣典,et al."慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为".核技术 .06(1994). |
入库方式： OAI收割
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