蒙特卡罗模拟Si~＋注入Si_3N_4／GaAs的射程分布和损伤分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江炳尧 ; 沈鸿烈 ; 周祖尧 ; 夏冠群 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | CN 311342TL |
| 中文摘要 | 用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＋射程分布的影响．模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106560]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江炳尧,沈鸿烈,周祖尧,等. 蒙特卡罗模拟Si~＋注入Si_3N_4／GaAs的射程分布和损伤分布[J]. 核技术,1994(04). |
| APA | 江炳尧,沈鸿烈,周祖尧,夏冠群,&邹世昌.(1994).蒙特卡罗模拟Si~＋注入Si_3N_4／GaAs的射程分布和损伤分布.核技术(04). |
| MLA | 江炳尧,et al."蒙特卡罗模拟Si~＋注入Si_3N_4／GaAs的射程分布和损伤分布".核技术 .04(1994). |
入库方式： OAI收割
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