高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 施左宇 |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 10007180 |
| 中文摘要 | 本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的物理效应及计算机模拟结果；分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制．在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而且可以降低注入剂量。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-30 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106583]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,施左宇. 高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟[J]. 微电子学与计算机,1995(02). |
| APA | 林成鲁,&施左宇.(1995).高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟.微电子学与计算机(02). |
| MLA | 林成鲁,et al."高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟".微电子学与计算机 .02(1995). |
入库方式： OAI收割
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