SiC晶体生长中流场的优化设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 颜君毅 ; 陈启生; 姜燕妮; 李炜
|
| 刊名 | 工程热物理学报
 |
| 出版日期 | 2011-02-15 |
| 卷号 | 32期号:2页码:308-311 |
| 通讯作者邮箱 | godyjy@163.com |
| 关键词 | 碳化硅晶体 PVT法 场协同 浓度场 流场 |
| ISSN号 | 0253-231X |
| 其他题名 | OPTIMIZATION OF THE FLOW FIELD IN SIC CRYSTAL GROWTH |
| 产权排序 | 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 |
| 通讯作者 | 颜君毅 |
| 中文摘要 | 物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法. 本文在碳化硅晶体生长模型化研究中, 针对碳化硅单晶PVT生长过程中的传热传质等现象引入了对流传热中的场协同原理, 利用这一原理对生长室内的流场温度场进行了优化, 并对改良前后分别进行了数值模拟, 研究了该原理对晶体生长的影响. 实验室碳化硅单晶的生长成功率从优化设计前的30％提高到90％ |
| 英文摘要 | SiC crystal is usually got by physical vapor transport(PVT) method in the lab.In this paper,a field-coordination theory was involved to optimize the SiC PVT growth system.We changed the parameters in the graphite crucible and calculated the flow field as well as species concentration field before and after optimization,using a finite volume-based software package developed by ourselves.We improved the design by analyzing the numerical results and the success ratio of SiC PVT experiment had increased from 30%to 90%. |
| 学科主题 | 力学 |
| 收录类别 | EI ; CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(No.50890182) |
| 原文出处 | http://epub3.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GCRB201102034&dbname=CJFQ2011 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4125206 |
| 公开日期 | 2012-04-01 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/45114]  |
| 专题 | 力学研究所_国家微重力实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜君毅,陈启生,姜燕妮,等. SiC晶体生长中流场的优化设计[J]. 工程热物理学报,2011,32(2):308-311. |
| APA | 颜君毅,陈启生,姜燕妮,&李炜.(2011).SiC晶体生长中流场的优化设计.工程热物理学报,32(2),308-311. |
| MLA | 颜君毅,et al."SiC晶体生长中流场的优化设计".工程热物理学报 32.2(2011):308-311. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。