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碳化硅的表面改性方法

文献类型:专利

作者谭颍 ; 李志强 ; 郭永利 ; 车吉泰 ; 张志成 ; 潘振远
发表日期2008-08-20
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院长春应用化学研究所
公开日期2010-03-19 ; 2010-10-13
申请日期2002-12-16
语种中文
专利申请号02 156419.1
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/8861]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
谭颍,李志强,郭永利,等. 碳化硅的表面改性方法. 2008-08-20.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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