Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang,B ; Yu,W ; Zhao,QT ; Mussler,G ; Jin,L ; Buca,D ; Hollander,B ; Hartmann,JM ; Zhang,M ; Wang,X ; Mantl,S |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 98期号:25页码:252101 |
| 关键词 | AMER INST PHYSICS |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 学科主题 | Physics ; Applied |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106717]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang,B,Yu,W,Zhao,QT,et al. Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,98(25):252101. |
| APA | Zhang,B.,Yu,W.,Zhao,QT.,Mussler,G.,Jin,L.,...&Mantl,S.(2011).Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy.APPLIED PHYSICS LETTERS,98(25),252101. |
| MLA | Zhang,B,et al."Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy".APPLIED PHYSICS LETTERS 98.25(2011):252101. |
入库方式： OAI收割
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