Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang,C ; Song,ZT ; Wu,GP ; Liu,B ; Wan,XD ; Wang,L ; Wang,LH ; Yang,ZY ; Chen,B ; Feng,SL |
| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:8页码:1014-1016 |
| 关键词 | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| ISSN号 | 0741-3106 |
| 学科主题 | Engineering ; Electrical & Electronic |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106750]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang,C,Song,ZT,Wu,GP,et al. Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2011,32(8):1014-1016. |
| APA | Zhang,C.,Song,ZT.,Wu,GP.,Liu,B.,Wan,XD.,...&Feng,SL.(2011).Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,32(8),1014-1016. |
| MLA | Zhang,C,et al."Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 32.8(2011):1014-1016. |
入库方式： OAI收割
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