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Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices

文献类型:期刊论文

作者Liu,ZL ; Hu,ZY ; Zhang,ZX ; Shao,H ; Ning,BX ; Bi,DW ; Chen,M ; Zou,SC
刊名CHINESE PHYSICS LETTERS
出版日期2011
卷号28期号:7页码:70701
关键词IOP PUBLISHING LTD
ISSN号0256-307X
学科主题Physics ; Multidisciplinary
公开日期2012-04-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106751]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu,ZL,Hu,ZY,Zhang,ZX,et al. Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2011,28(7):70701.
APA Liu,ZL.,Hu,ZY.,Zhang,ZX.,Shao,H.,Ning,BX.,...&Zou,SC.(2011).Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices.CHINESE PHYSICS LETTERS,28(7),70701.
MLA Liu,ZL,et al."Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices".CHINESE PHYSICS LETTERS 28.7(2011):70701.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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