Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam
文献类型：期刊论文
| 作者 | Du,XF ; Zhang,T ; Song,ZT ; Liu,WL ; Liu,XY ; Gu,YF ; Lv,SL ; Xue,WJ ; Xi,W |
| 刊名 | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 50期号:7页码:70211 |
| 关键词 | JAPAN SOC APPLIED PHYSICS |
| ISSN号 | 0021-4922 |
| 学科主题 | Physics ; Applied |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106757]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Du,XF,Zhang,T,Song,ZT,et al. Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,50(7):70211. |
| APA | Du,XF.,Zhang,T.,Song,ZT.,Liu,WL.,Liu,XY.,...&Xi,W.(2011).Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,50(7),70211. |
| MLA | Du,XF,et al."Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam".JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50.7(2011):70211. |
入库方式： OAI收割
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