中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
The I-V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser

文献类型:期刊论文

作者Ma, CH ; Wang, HL ; Zhou, Y ; Gong, Q ; Chen, P ; Cao, CF ; Feng, SL(封松林) ; Li, SG
刊名PHYSICA B-CONDENSED MATTER
出版日期2011
卷号406期号:19页码:3636-3639
关键词ELSEVIER SCIENCE BV
ISSN号0921-4526
学科主题Physics, Condensed Matter
语种英语
公开日期2012-04-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106758]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Ma, CH,Wang, HL,Zhou, Y,et al. The I-V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser[J]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER,2011,406(19):3636-3639.
APA Ma, CH.,Wang, HL.,Zhou, Y.,Gong, Q.,Chen, P.,...&Li, SG.(2011).The I-V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser.PHYSICA B-CONDENSED MATTER,406(19),3636-3639.
MLA Ma, CH,et al."The I-V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser".PHYSICA B-CONDENSED MATTER 406.19(2011):3636-3639.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。