Interfacial properties of HfO2 dielectric film on Ge substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | He, DW ; （程新红） ; Xu, DW ; Wang, ZJ ; Yu, YH ; Sun, QQ ; Zhang, DW |
| 刊名 | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 29期号:1页码:01A802 |
| 关键词 | A V S AMER INST PHYSICS |
| ISSN号 | 1071-1023 |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic; Nanoscience & Nanotechnology; Physics, Applied |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106771]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | He, DW,Xu, DW,et al. Interfacial properties of HfO2 dielectric film on Ge substrate[J]. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,2011,29(1):01A802. |
| APA | He, DW.,.,Xu, DW.,Wang, ZJ.,Yu, YH.,...&Zhang, DW.(2011).Interfacial properties of HfO2 dielectric film on Ge substrate.JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,29(1),01A802. |
| MLA | He, DW,et al."Interfacial properties of HfO2 dielectric film on Ge substrate".JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 29.1(2011):01A802. |
入库方式： OAI收割
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