Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lu,YG ; Song,SN ; Song,ZT ; Wu,LC ; Liu,B ; Feng,SL ; Guo,XH |
| 刊名 | JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 44期号:14页码:145102 |
| 关键词 | IOP PUBLISHING LTD |
| ISSN号 | 0022-3727 |
| 学科主题 | Physics ; Applied |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106791]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lu,YG,Song,SN,Song,ZT,et al. Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application[J]. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2011,44(14):145102. |
| APA | Lu,YG.,Song,SN.,Song,ZT.,Wu,LC.,Liu,B.,...&Guo,XH.(2011).Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application.JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,44(14),145102. |
| MLA | Lu,YG,et al."Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application".JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 44.14(2011):145102. |
入库方式： OAI收割
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