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Investigation of GeTe/Ge2Sb2Te5 Nanocomposite Multilayer Films for Phase-Change Memory Applications

文献类型:期刊论文

作者Wang,CZ ; Zhai,JW ; Song,SN ; Song,ZT ; Sun,MC ; Shen,B
刊名ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
出版日期2011
卷号14期号:7页码:H258-H260
关键词ELECTROCHEMICAL SOC INC
ISSN号1099-0062
学科主题Electrochemistry; Materials Science ; Multidisciplinary
公开日期2012-04-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106801]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang,CZ,Zhai,JW,Song,SN,et al. Investigation of GeTe/Ge2Sb2Te5 Nanocomposite Multilayer Films for Phase-Change Memory Applications[J]. ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,2011,14(7):H258-H260.
APA Wang,CZ,Zhai,JW,Song,SN,Song,ZT,Sun,MC,&Shen,B.(2011).Investigation of GeTe/Ge2Sb2Te5 Nanocomposite Multilayer Films for Phase-Change Memory Applications.ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,14(7),H258-H260.
MLA Wang,CZ,et al."Investigation of GeTe/Ge2Sb2Te5 Nanocomposite Multilayer Films for Phase-Change Memory Applications".ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 14.7(2011):H258-H260.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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