Ga-Sb-Se material for low-power phase change memory
文献类型:期刊论文
作者 | Lu,YG ; Song,SN ; Gong,YF ; Song,ZT ; Rao,F ; Wu,LC ; Liu,B ; Yao,DN |
刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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出版日期 | 2011 |
卷号 | 99期号:24页码:243111 |
关键词 | AMER INST PHYSICS |
ISSN号 | 0003-6951 |
学科主题 | Physics ; Applied |
公开日期 | 2012-04-10 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106804] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lu,YG,Song,SN,Gong,YF,et al. Ga-Sb-Se material for low-power phase change memory[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,99(24):243111. |
APA | Lu,YG.,Song,SN.,Gong,YF.,Song,ZT.,Rao,F.,...&Yao,DN.(2011).Ga-Sb-Se material for low-power phase change memory.APPLIED PHYSICS LETTERS,99(24),243111. |
MLA | Lu,YG,et al."Ga-Sb-Se material for low-power phase change memory".APPLIED PHYSICS LETTERS 99.24(2011):243111. |
入库方式: OAI收割
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