Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wu,LC ; Zhou,XL ; Song,ZT ; Zhu,M ; Cheng,Y ; Rao,F ; Song,SN ; Liu,B ; Feng,SL |
| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 58期号:12页码:4423-4426 |
| 关键词 | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| ISSN号 | 0018-9383 |
| 学科主题 | Engineering ; Electrical & Electronic; Physics ; Applied |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106808]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu,LC,Zhou,XL,Song,ZT,et al. Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2011,58(12):4423-4426. |
| APA | Wu,LC.,Zhou,XL.,Song,ZT.,Zhu,M.,Cheng,Y.,...&Feng,SL.(2011).Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,58(12),4423-4426. |
| MLA | Wu,LC,et al."Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications".IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 58.12(2011):4423-4426. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。