High indium content InGaAs photodetector: with InGaAs or InAlAs graded buffer layers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gu, Y ; Wang, K ; Li, C ; Fang, X ; Gao, YY ; Zhang, YG |
| 刊名 | JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 30期号:6页码:481-485 |
| 关键词 | SCIENCE PRESS |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 学科主题 | Optics |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106811]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gu, Y,Wang, K,Li, C,et al. High indium content InGaAs photodetector: with InGaAs or InAlAs graded buffer layers[J]. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2011,30(6):481-485. |
| APA | Gu, Y,Wang, K,Li, C,Fang, X,Gao, YY,&Zhang, YG.(2011).High indium content InGaAs photodetector: with InGaAs or InAlAs graded buffer layers.JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,30(6),481-485. |
| MLA | Gu, Y,et al."High indium content InGaAs photodetector: with InGaAs or InAlAs graded buffer layers".JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES 30.6(2011):481-485. |
入库方式： OAI收割
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