Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li,XL ; Rao,F ; Song,ZT ; Zhu,M ; Liu,WL ; Sun,ZM |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 110期号:9页码:94318 |
| 关键词 | AMER INST PHYSICS |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 学科主题 | Physics ; Applied |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106813]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li,XL,Rao,F,Song,ZT,et al. Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,110(9):94318. |
| APA | Li,XL,Rao,F,Song,ZT,Zhu,M,Liu,WL,&Sun,ZM.(2011).Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,110(9),94318. |
| MLA | Li,XL,et al."Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 110.9(2011):94318. |
入库方式： OAI收割
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