Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu,ZL ; Hu,ZY ; Zhang,ZX ; Shao,H ; Chen,M ; Bi,DW ; Ning,BX ; Zou,SC |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS B
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 20期号:12页码:120703 |
| 关键词 | IOP PUBLISHING LTD |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 学科主题 | Physics ; Multidisciplinary |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106827]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu,ZL,Hu,ZY,Zhang,ZX,et al. Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory[J]. CHINESE PHYSICS B,2011,20(12):120703. |
| APA | Liu,ZL.,Hu,ZY.,Zhang,ZX.,Shao,H.,Chen,M.,...&Zou,SC.(2011).Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory.CHINESE PHYSICS B,20(12),120703. |
| MLA | Liu,ZL,et al."Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory".CHINESE PHYSICS B 20.12(2011):120703. |
入库方式： OAI收割
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