0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘张李 ; 胡志远 ; 张正选 ; 邵华 ; 宁冰旭 ; 毕大炜 ; 陈明 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | 总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 MOSFET |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好.深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-13 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106953]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘张李,胡志远,张正选,等. 0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应[J]. 物理学报,2011(11). |
| APA | 刘张李.,胡志远.,张正选.,邵华.,宁冰旭.,...&邹世昌.(2011).0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应.物理学报(11). |
| MLA | 刘张李,et al."0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应".物理学报 .11(2011). |
入库方式： OAI收割
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