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Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)

文献类型:期刊论文

作者徐大朋 ; 万里 ; 程新红 ; 何大伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 沈达身
刊名稀有金属材料与工程
出版日期2011
期号08
关键词HfO2 Al2O3 60Co γ射线辐射
ISSN号1002-185X
中文摘要研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。
语种中文
公开日期2012-04-13
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106954]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
徐大朋,万里,程新红,等. Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)[J]. 稀有金属材料与工程,2011(08).
APA 徐大朋.,万里.,程新红.,何大伟.,宋朝瑞.,...&沈达身.(2011).Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文).稀有金属材料与工程(08).
MLA 徐大朋,et al."Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)".稀有金属材料与工程 .08(2011).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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