GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王新中 ; 于广辉 ; 李世国 |
| 刊名 | 光电子.激光
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| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | GaN 阳极Al2O3(AAO) 纳米点阵 氢化物气相外延(HVPE) |
| ISSN号 | 1005-0086 |
| 中文摘要 | 研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用。通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO2纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO2/GaN模板上制备厚膜GaN材料。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明,SiO2纳米点阵能有效阻挡衬底中位错往上延伸,大大降低外延层中位错密度,并有利于厚膜GaN中应力释放。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-13 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106958]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新中,于广辉,李世国. GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究[J]. 光电子.激光,2011(04). |
| APA | 王新中,于广辉,&李世国.(2011).GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究.光电子.激光(04). |
| MLA | 王新中,et al."GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究".光电子.激光 .04(2011). |
入库方式： OAI收割
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