SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋朝瑞 ; 程新红 ; 何大伟 ; 徐大伟 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | NbAlO栅介质 价带偏移 超晶格 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究。高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,介质层与SiGe衬底之间的价带偏移是2.9eV。电学测试分析给出的等效栅氧厚度和介电常数分别是1.8nm和19。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-13 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106963]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋朝瑞,程新红,何大伟,等. SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析[J]. 功能材料与器件学报,2011(01). |
| APA | 宋朝瑞,程新红,何大伟,&徐大伟.(2011).SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 宋朝瑞,et al."SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析".功能材料与器件学报 .01(2011). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。