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硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固

文献类型:期刊论文

作者王茹 ; 张正选 ; 俞文杰 ; 毕大炜 ; 陈明 ; 刘张李 ; 宁冰旭
刊名功能材料与器件学报
出版日期2011
期号02
关键词绝缘体上硅 注氧隔离 总剂量辐照 纳米晶
ISSN号1007-4252
中文摘要本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力。
语种中文
公开日期2012-04-13
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106996]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王茹,张正选,俞文杰,等. 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固[J]. 功能材料与器件学报,2011(02).
APA 王茹.,张正选.,俞文杰.,毕大炜.,陈明.,...&宁冰旭.(2011).硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固.功能材料与器件学报(02).
MLA 王茹,et al."硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固".功能材料与器件学报 .02(2011).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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