基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蔡道林 ; 陈后鹏 ; 王倩 ; 丁晟 ; 富聪 ; 陈一峰 ; 宏潇 ; 李喜 ; 陈小刚 ; 刘波 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 相变存储器 互补型金属氧化物半导体电路 疲劳特性 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-13 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106999]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡道林,陈后鹏,王倩,等. 基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器[J]. 固体电子学研究与进展,2011(06). |
| APA | 蔡道林.,陈后鹏.,王倩.,丁晟.,富聪.,...&封松林.(2011).基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器.固体电子学研究与进展(06). |
| MLA | 蔡道林,et al."基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器".固体电子学研究与进展 .06(2011). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。